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課程大綱

開關(guān)電源是各種系統(tǒng)的核心部分。開關(guān)電源的需求越來越大,同時(shí)對(duì)可靠性提出了越來越高的要求。涉及系統(tǒng)可靠性的因素很多。目前,人們認(rèn)識(shí)上的主要誤區(qū)是把可靠性完全(或基本上)歸結(jié)于元器件的可靠性和制造裝配的工藝,忽略了系統(tǒng)設(shè)計(jì)和環(huán)境溫度對(duì)可靠性的決定性的作用。據(jù)美國(guó)海軍電子實(shí)驗(yàn)室的統(tǒng)計(jì),整機(jī)出現(xiàn)故障的原因和各自所占的百分比如表1所示。


在民用電子產(chǎn)品領(lǐng)域,日本的統(tǒng)計(jì)資料表明,可靠性問題80%源于設(shè)計(jì)方面(日本把元器件的選型、質(zhì)量級(jí)別的確定、元器件的負(fù)荷率等部分也歸入設(shè)計(jì)上的原因)。以上兩方面的數(shù)據(jù)表明,設(shè)計(jì)及元器件(元器件的選型,質(zhì)量級(jí)別的確定,元器件的負(fù)荷率)的原因造成的故障,在開關(guān)電源故障原因中占80%左右。減少這兩方面造成的開關(guān)電源故障,具有重要的意義。總之,對(duì)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者而言,需要明確建立“可靠性”這個(gè)重要概念,把系統(tǒng)的可靠性作為重要的技術(shù)指標(biāo),認(rèn)真對(duì)待開關(guān)電源可靠性的設(shè)計(jì)工作,并采取足夠的措施提高開關(guān)電源的可靠性,才能使系統(tǒng)和產(chǎn)品達(dá)到穩(wěn)定、可靠的目標(biāo)。


影響開關(guān)電源可靠性的因素

從各研究機(jī)構(gòu)研究成果可以看出,環(huán)境溫度和負(fù)荷率對(duì)可靠性影響很大,這兩個(gè)方面對(duì)開關(guān)電源的影響也很大,下面將從這兩方面分析,如何設(shè)計(jì)出高可靠的開關(guān)電源。其中:PD為使用功率;PR為額定功率主。UD為使用電壓;UR為額定電壓。

1、環(huán)境溫度對(duì)元器件的影響

1)環(huán)境溫度對(duì)半導(dǎo)體的影響

硅三極管以PD/PR=0.5使用負(fù)荷設(shè)計(jì),則環(huán)溫度對(duì)可靠性的影響,如表2所示。


由表2可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了30倍。

2)環(huán)境溫度對(duì)電容器的影響

以UD/UR=0.65使用負(fù)荷設(shè)計(jì),則環(huán)境溫度對(duì)可靠性的影響如表3所示。


從表3可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了14倍。

3)環(huán)境溫度對(duì)電阻器的影響

以PD/PR=0.5使用負(fù)荷設(shè)計(jì),則環(huán)境溫度對(duì)可靠性的影響如表4所示。


從表4可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了4倍。

2、負(fù)荷率對(duì)元器件的影響

1)負(fù)荷率對(duì)半導(dǎo)體的影響

當(dāng)環(huán)境溫度為50℃時(shí),PD/PR對(duì)失效率的影響如表5所示。


由表5可知,當(dāng)PD/PR=0.8時(shí),失效率比0.2時(shí)增加了1000倍。

2)負(fù)荷率對(duì)電阻的影響

負(fù)荷率對(duì)電阻的影響如表6所示。


從表6可以看出,當(dāng)PD/PR=0.8時(shí),失效率比PD/PR=0.2時(shí)增加了8倍。


可靠性設(shè)計(jì)的原則


  • 可靠性設(shè)計(jì)指標(biāo)應(yīng)包含定量的可靠性要求。

  • 可靠性設(shè)計(jì)與器件的功能設(shè)計(jì)相結(jié)合,在滿足器件性能指標(biāo)的基礎(chǔ)上,盡量提高器件的可靠性水平。

  • 應(yīng)針對(duì)器件的性能水平、可靠性水平、制造成本、研制周期等相應(yīng)制約因素進(jìn)行綜合平衡設(shè)計(jì)。

  • 可靠性設(shè)計(jì)中盡可能采用國(guó)、內(nèi)外成熟的新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝和新原理。

  • 對(duì)于關(guān)鍵性元器件,采用并聯(lián)方式,保證此單元有足夠的冗佘度。

  • 原則上要盡一切可能減少元器件使用數(shù)目。

  • 在同等體積下盡量采用高額度的元器件。

  • 選用高質(zhì)量等級(jí)的元器件。

  • 原則上不選用電解電容。

  • 對(duì)電源進(jìn)行合理的熱設(shè)計(jì),控制環(huán)境溫度,不致溫度過高,導(dǎo)致元器件失效率增加。

  • 盡量選用硅半導(dǎo)體器件,少用或不用鍺半導(dǎo)體器件。

  • 應(yīng)選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件,禁止選用塑料封裝的器件。


可靠性設(shè)計(jì)

1、負(fù)荷率的設(shè)計(jì)

由于負(fù)荷率對(duì)可靠性有重大影響,故可靠性設(shè)計(jì)重要的一個(gè)方面是負(fù)荷率的設(shè)計(jì),根據(jù)元器件的特性及實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),元器件的負(fù)荷率在下列數(shù)值時(shí),電源系統(tǒng)的可靠性及成本是較優(yōu)的。

1)半導(dǎo)體元器件

半導(dǎo)體元器件的電壓降額應(yīng)在0.6以下,電流降額系數(shù)應(yīng)在0.5以下。半導(dǎo)體元器件除負(fù)荷率外還有容差設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí),應(yīng)適當(dāng)放寬半導(dǎo)體元器件的參數(shù)允許變化范圍,包括制造容差、溫度漂移、時(shí)間漂移、輻射導(dǎo)致的漂移等。以保證半導(dǎo)體元器件的參數(shù)在一定范圍內(nèi)變化時(shí),開關(guān)電源仍能正常工作。

2)電容器

電容器的負(fù)荷率(工作電壓和額定電壓之比)好在0.5左右,一般不要超過0.8,并且盡量使用無極性電容器。而且,在高頻應(yīng)用的情況下,電壓降額幅度應(yīng)進(jìn)一步加大,對(duì)電解電容器更應(yīng)如此。應(yīng)特別注意,電容器有低壓失效的問題,對(duì)于普通鋁電解電容器和無極性電容的電壓降額不低于0.3,但鉭電容的電壓降額應(yīng)在0.3以下。電壓降額不能太多,否則電容器的失效率將上升。

3)電阻器、電位器

電阻器、電位器的負(fù)荷率要小于0.5,此為電阻器設(shè)計(jì)的上限值;但是大量試驗(yàn)證明,當(dāng)電阻器降額數(shù)低于0.1時(shí),將得不到預(yù)期的效果,失效率有所增加,電阻降額系數(shù)以0.1為可靠性降額設(shè)計(jì)的下限值。

總之,對(duì)各種元器件的負(fù)荷率只要有可能,一般應(yīng)保持在0.3左右。好不要超過0.5。這樣的負(fù)荷率,對(duì)電源系統(tǒng)造成不可靠的機(jī)率是非常小的。


2、電源的熱設(shè)計(jì)

開關(guān)電源內(nèi)部過高的溫升將會(huì)導(dǎo)致溫度敏感的半導(dǎo)體器件、電解電容等元器件的失效。當(dāng)溫度超過一定值時(shí),失效率呈指數(shù)規(guī)律增加。有統(tǒng)計(jì)資料表明,電子元器件溫度每升高2℃,可靠性下降10%;溫升50℃時(shí)的壽命只有溫升25℃時(shí)的1/6。除了電應(yīng)力之外,溫度是影響開關(guān)電源可靠性的重要的因素。高頻開關(guān)電源有大功率發(fā)熱器件,溫度更是影響其可靠性的重要的因素之一,完整的熱設(shè)計(jì)包括兩個(gè)方面:如何控制發(fā)熱源的發(fā)熱量;如何將熱源產(chǎn)生的熱量散出去。使開關(guān)電源的溫升控制在允許的范圍之內(nèi),以保證開關(guān)電源的可靠性。

1)控制發(fā)熱量的設(shè)計(jì)

開關(guān)電源中主要的發(fā)熱元器件為半導(dǎo)體開關(guān)管、功率二極管、高頻變壓器、濾波電感等。不同器件有不同的控制發(fā)熱量的方法。功率管是高頻開關(guān)電源中發(fā)熱量較大的器件之一,減小它的發(fā)熱量,不僅可以提高功率管的可靠性,而且可以提高開關(guān)電源的可靠性,提高平均無故障時(shí)間(MTBF)。

開關(guān)管的發(fā)熱量是由損耗引起的,開關(guān)管的損耗由開關(guān)過程損耗和通態(tài)損耗兩部分組成,減小通態(tài)損耗可以通過選用低通態(tài)電阻的開關(guān)管來減小通態(tài)損耗;開關(guān)過程損耗是由于柵電荷大小及開關(guān)時(shí)間引起的,減小開關(guān)過程損耗可以選擇開關(guān)速度更快、恢復(fù)時(shí)間更短的器件來減少。

但更為重要的是通過設(shè)計(jì)更優(yōu)的控制方式和緩沖技術(shù)來減小損耗,如采用軟開關(guān)技術(shù),可以大大減小這種損耗。減小功率二極管的發(fā)熱量,對(duì)交流整流及緩沖二極管,一般情況下不會(huì)有更好的控制技術(shù)來減小損耗,可以通過選擇高質(zhì)量的二極管來減小損耗。對(duì)于變壓器二次側(cè)的整流可以選擇效率更高的同步整流技術(shù)來減小損耗。對(duì)于高頻磁性材料引起的損耗,要盡量避免趨膚效應(yīng),對(duì)于趨膚效應(yīng)造成的影響,可采用多股細(xì)漆包線并繞的辦法來解決。

2)開關(guān)電源的散熱設(shè)計(jì)

MOS管導(dǎo)通時(shí)有一定的壓降,也即器件有一定的損耗,它將引起芯片的溫升,但是器件的發(fā)熱情況與其耐熱能力和散熱條件有關(guān)。由此,器件功耗有一定的容限。其值按熱歐姆定律可表示為:PD="Tj-Tc/RT"?式中,“Tj”是額定結(jié)溫(Tj=150℃),“Tc”是殼溫,“RT”是結(jié)到管殼間的穩(wěn)態(tài)熱阻,“Tj”代表器件的耐熱能力,“Tc”和“RT”代表器件的散熱條件,而“PD”就是器件的發(fā)熱情況。它必須在器件的耐熱能力和散熱條件之間取得平衡。


散熱有三種基本方式:熱傳導(dǎo)、熱輻射、熱對(duì)流。根據(jù)散熱的方式,可以選自然散熱:加裝散熱器;或選擇強(qiáng)制風(fēng)冷:加裝風(fēng)扇。加裝散熱器主要利用熱傳導(dǎo)和熱對(duì)流,即所有發(fā)熱元器件均先固定在散熱器上,熱量通過傳導(dǎo)方式傳遞給散熱器,散熱器上的熱量再通過能流換熱的方式由空氣帶出機(jī)箱。實(shí)際的散熱情況為三種傳熱方式的綜合,可以用牛頓公式來統(tǒng)一表達(dá):??=KSг,其中S為散熱表面積,K為表面散熱系數(shù)。表面散熱系數(shù)通常由試驗(yàn)確定,在一般的工程流體力學(xué)中有數(shù)據(jù)可查。它把傳熱的三種形式全部統(tǒng)一起來了。

通過?=KSг,我們可以在計(jì)算出耗散功率以后,根據(jù)允許的溫升г來確定散熱表面積S,并由此而確定所要選擇的散熱器。這種計(jì)算對(duì)于提高開關(guān)電源的可靠性、功率密度、性價(jià)比等都有重要意義。若采用強(qiáng)制風(fēng)冷,加裝風(fēng)扇,則對(duì)整流模塊來說,風(fēng)扇的MTBF是所有元器件中低的,一直都是制約整流模塊提高MTBF的瓶頸,所以采取各種措施提高散熱效率來延長(zhǎng)風(fēng)扇壽命具有重要的意義。


 

 

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  我們培訓(xùn)過的企業(yè)客戶評(píng)價(jià):
    曙海的andriod 系統(tǒng)與應(yīng)用培訓(xùn)完全符合了我公司的要求,達(dá)到了我公司培訓(xùn)的目的。 特別值得一提的是授課講師針對(duì)我們公司的開發(fā)的項(xiàng)目專門提供了一些很好程序的源代碼, 基本滿足了我們的項(xiàng)目要求。
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  我們新培訓(xùn)過的企業(yè)客戶以及培訓(xùn)的主要內(nèi)容:
 

一汽海馬汽車 DSP培訓(xùn)
蘇州金屬研究院 DSP培訓(xùn)
南京南瑞集團(tuán)技術(shù) FPGA培訓(xùn)
西安愛生技術(shù)集團(tuán) FPGA培訓(xùn),DSP培訓(xùn)
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福斯賽諾分析儀器(蘇州) FPGA培訓(xùn)
南京國(guó)電工程 FPGA培訓(xùn)
北京環(huán)境特性研究所 達(dá)芬奇培訓(xùn)
中國(guó)科微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 FPGA高級(jí)培訓(xùn)
重慶網(wǎng)視只能流技術(shù)開發(fā) 達(dá)芬奇培訓(xùn)
無錫力芯微電子股份 IC電磁兼容
河北科研究所 FPGA培訓(xùn)
上海微小衛(wèi)星工程中心 DSP培訓(xùn)
廣州航天航空 POWERPC培訓(xùn)
桂林航天工 DSP培訓(xùn)
江蘇五維電子科技 達(dá)芬奇培訓(xùn)
無錫步進(jìn)電機(jī)自動(dòng)控制技術(shù) DSP培訓(xùn)
江門市安利電源工程 DSP培訓(xùn)
長(zhǎng)江力偉股份 CADENCE 培訓(xùn)
愛普生科技(無錫 ) 數(shù)字模擬電路
河南平高 電氣 DSP培訓(xùn)
中國(guó)航天員科研訓(xùn)練中心 A/D仿真
常州易控汽車電子 WINDOWS驅(qū)動(dòng)培訓(xùn)
南通大學(xué) DSP培訓(xùn)
上海集成電路研發(fā)中心 達(dá)芬奇培訓(xùn)
北京瑞志合眾科技 WINDOWS驅(qū)動(dòng)培訓(xùn)
江蘇金智科技股份 FPGA高級(jí)培訓(xùn)
中國(guó)重工第710研究所 FPGA高級(jí)培訓(xùn)
蕪湖伯特利汽車安全系統(tǒng) DSP培訓(xùn)
廈門中智能軟件技術(shù) Android培訓(xùn)
上海科慢車輛部件系統(tǒng)EMC培訓(xùn)
中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十研究所,軟件無線電培訓(xùn)
蘇州浩克系統(tǒng)科技 FPGA培訓(xùn)
上海申達(dá)自動(dòng)防范系統(tǒng) FPGA培訓(xùn)
四川長(zhǎng)虹佳華信息 MTK培訓(xùn)
公安部第三研究所--FPGA初中高技術(shù)開發(fā)培訓(xùn)以及DSP達(dá)芬奇芯片視頻、圖像處理技術(shù)培訓(xùn)
上海電子信息職業(yè)技術(shù)--FPGA高級(jí)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
上海點(diǎn)逸網(wǎng)絡(luò)科技有限公司--3G手機(jī)ANDROID應(yīng)用和系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
格科微電子有限公司--MTK應(yīng)用(MMI)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
南昌航空大學(xué)--fpga 高級(jí)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
IBM 公司--3G手機(jī)ANDROID系統(tǒng)和應(yīng)用技術(shù)開發(fā)培訓(xùn)
上海貝爾--3G手機(jī)ANDROID系統(tǒng)和應(yīng)用技術(shù)開發(fā)培訓(xùn)
中國(guó)雙飛--Vxworks 應(yīng)用和BSP開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)

 

上海水務(wù)建設(shè)工程有限公司--Alter/Xilinx FPGA應(yīng)用開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
恩法半導(dǎo)體科技--Allegro Candence PCB 仿真和信號(hào)完整性技術(shù)培訓(xùn)
中國(guó)計(jì)量--3G手機(jī)ANDROID應(yīng)用和系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
冠捷科技--FPGA芯片設(shè)計(jì)技術(shù)培訓(xùn)
芬尼克茲節(jié)能設(shè)備--FPGA高級(jí)技術(shù)開發(fā)培訓(xùn)
川奇光電--3G手機(jī)ANDROID系統(tǒng)和應(yīng)用技術(shù)開發(fā)培訓(xùn)
東華大學(xué)--Dsp6000系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
上海理工大學(xué)--FPGA高級(jí)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
同濟(jì)大學(xué)--Dsp6000圖像/視頻處理技術(shù)培訓(xùn)
上海醫(yī)療器械高等專科學(xué)校--Dsp6000圖像/視頻處理技術(shù)培訓(xùn)
中航工業(yè)無線電電子研究所--Vxworks 應(yīng)用和BSP開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
北京交通大學(xué)--Powerpc開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
浙江理工大學(xué)--Dsp6000圖像/視頻處理技術(shù)培訓(xùn)
臺(tái)灣雙陽(yáng)科技股份有限公司--MTK應(yīng)用(MMI)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
滾石移動(dòng)--MTK應(yīng)用(MMI)和驅(qū)動(dòng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
冠捷半導(dǎo)體--Linux系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
奧波--CortexM3+uC/OS開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
迅時(shí)通信--WinCE應(yīng)用與驅(qū)動(dòng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
海鷹醫(yī)療電子系統(tǒng)--DSP6000圖像處理技術(shù)培訓(xùn)
博耀科技--Linux系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)培訓(xùn)
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